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| 数据手册 | FGL60N100BNTD 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | FGL60N100BNTD |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-264-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 180 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1000 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.5 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 60 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 25 V |
库存：51,416
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 375
- 参考单价：
- ￥24.9084
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 375+ | ￥24.9084 | ￥9,340.6500 |
| 750+ | ￥23.4805 | ￥17,610.3750 |
| 1,125+ | ￥20.0783 | ￥22,588.0875 |
| 2,625+ | ￥19.4525 | ￥51,062.8125 |
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