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| 数据手册 | IXSN50N60BD3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 系列 | IXSN50N60 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227B-4 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single Dual Emitter |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 600 V |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：50,267
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 10
- 参考单价：
- ￥188.6725
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 10+ | ￥188.6725 | ￥1,886.7250 |
| 30+ | ￥173.3714 | ￥5,201.1420 |
| 50+ | ￥169.2200 | ￥8,461.0000 |
| 100+ | ￥161.1640 | ￥16,116.4000 |
| 200+ | ￥147.9077 | ￥29,581.5400 |
| 500+ | ￥140.7772 | ￥70,388.6000 |
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