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| 数据手册 | 2N2609 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | JFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | 2N26 |
| 封装 | Bulk |
| 封装 / 箱体 | TO-18-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 300 mW |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 10 V |
| Id-连续漏极电流 | 5 mA |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | - 10 mA |
库存：50,585
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥75.3421
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥75.3421 | ￥75.3421 |
| 10+ | ￥61.7773 | ￥617.7730 |
| 100+ | ￥51.2446 | ￥5,124.4600 |
| 500+ | ￥46.7230 | ￥23,361.5000 |
| 1,000+ | ￥40.7119 | ￥40,711.9000 |
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