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| 数据手册 | IXGA8N100 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 系列 | IXGA8N100 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-263-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1000 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.7 V |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：50,445
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 50
- 参考单价：
- ￥57.8110
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 50+ | ￥57.8110 | ￥2,890.5500 |
| 100+ | ￥56.3832 | ￥5,638.3200 |
| 250+ | ￥51.3680 | ￥12,842.0000 |
| 500+ | ￥48.0804 | ￥24,040.2000 |
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