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| 数据手册 | BSM75GAR120DN2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Chassis Mount |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | IS4 (34 mm )-5 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 625 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.5 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 100 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：50,564
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 10
- 参考单价：
- ￥462.9201
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 10+ | ￥462.9201 | ￥4,629.2010 |
| 20+ | ￥449.0380 | ￥8,980.7600 |
| 50+ | ￥434.9797 | ￥21,748.9850 |
| 100+ | ￥406.4752 | ￥40,647.5200 |
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