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| 数据手册 | IXYH85N120A4 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | IXYH85N120A4 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 1150 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.5 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 300 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：56,682
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
