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| 数据手册 | 2N5115e3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | JFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 最大工作温度 | + 200 C |
| 封装 / 箱体 | TO-18-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Rds On-漏源导通电阻 | 100 Ohms |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | - 15 mA to - 60 mA |
库存：58,127
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥246.7303
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥246.7303 | ￥246.7303 |
| 5+ | ￥233.4123 | ￥1,167.0615 |
| 10+ | ￥230.7505 | ￥2,307.5050 |
| 25+ | ￥213.3958 | ￥5,334.8950 |
| 50+ | ￥206.7059 | ￥10,335.2950 |
| 100+ | ￥200.0161 | ￥20,001.6100 |
| 250+ | ￥186.6893 | ￥46,672.3250 |
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