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| 数据手册 | IFN5566 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | JFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装 / 箱体 | TO-71-6 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 650 mW |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Rds On-漏源导通电阻 | 100 Ohms |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 40 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 30 mA |
库存：57,091
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥141.5264
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥141.5264 | ￥141.5264 |
| 10+ | ￥120.3287 | ￥1,203.2870 |
| 100+ | ￥111.7791 | ￥11,177.9100 |
| 250+ | ￥102.5509 | ￥25,637.7250 |
| 500+ | ￥97.5886 | ￥48,794.3000 |
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