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| 数据手册 | 2N2609 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | JFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 最大工作温度 | + 200 C |
| 封装 / 箱体 | TO-18-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 300 mW |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | - 10 mA |
库存：51,150
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥92.0799
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥92.0799 | ￥92.0799 |
| 10+ | ￥83.6537 | ￥836.5370 |
| 25+ | ￥77.3869 | ￥1,934.6725 |
| 50+ | ￥73.2355 | ￥3,661.7750 |
| 100+ | ￥71.1290 | ￥7,112.9000 |
| 250+ | ￥64.8710 | ￥16,217.7500 |
| 500+ | ￥60.6579 | ￥30,328.9500 |
| 1,000+ | ￥55.6428 | ￥55,642.8000 |
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