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| 数据手册 | 2N5912 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | JFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装 / 箱体 | SOIC-8 |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 500 mW (1/2 W) |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 40 mA |
库存：53,819
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 69
- 参考单价：
- ￥83.9005
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 69+ | ￥83.9005 | ￥5,789.1345 |
| 100+ | ￥77.2018 | ￥7,720.1800 |
| 250+ | ￥70.3886 | ￥17,597.1500 |
| 500+ | ￥65.8053 | ￥32,902.6500 |
| 1,000+ | ￥60.3495 | ￥60,349.5000 |
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