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文档与媒体
| 数据手册 | IMW65R027M1HXKSA1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SiC |
| 商标名 | CoolSiC |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 189 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 18 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Id-连续漏极电流 | 47 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 0.034 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 5.7 V |
| Qg-栅极电荷 | 62 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：52,650
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥183.3488
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥183.3488 | ￥183.3488 |
| 10+ | ￥169.0966 | ￥1,690.9660 |
| 25+ | ￥161.4725 | ￥4,036.8125 |
| 100+ | ￥142.5136 | ￥14,251.3600 |
| 250+ | ￥133.0297 | ￥33,257.4250 |
| 500+ | ￥121.5715 | ￥60,785.7500 |
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