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| 数据手册 | IFN5199 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | JFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | IFN519 |
| 封装 | Bulk |
| 封装 / 箱体 | TO-71-6 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 250 mW |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Id-连续漏极电流 | - 200 uA |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 50 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 7 mA |
库存：55,592
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 67
- 参考单价：
- ￥85.6280
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 67+ | ￥85.6280 | ￥5,737.0760 |
| 100+ | ￥78.8148 | ￥7,881.4800 |
| 250+ | ￥71.8165 | ￥17,954.1250 |
| 500+ | ￥67.1715 | ￥33,585.7500 |
| 1,000+ | ￥61.5922 | ￥61,592.2000 |
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