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| 数据手册 | IFN112 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | JFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装 / 箱体 | TO-18-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 360 mW |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 50 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 9 mA |
库存：55,821
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 100
- 参考单价：
- ￥53.0427
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 100+ | ￥53.0427 | ￥5,304.2700 |
| 250+ | ￥48.3272 | ￥12,081.8000 |
| 500+ | ￥45.2334 | ￥22,616.7000 |
| 1,000+ | ￥41.4522 | ￥41,452.2000 |
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