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| 数据手册 | IFN5114 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | JFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | IFN511 |
| 封装 | Bulk |
| 封装 / 箱体 | TO-18-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 500 mW (1/2 W) |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 15 V |
| Id-连续漏极电流 | - 15 mA |
| Rds On-漏源导通电阻 | 75 Ohms |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | - 90 mA |
库存：53,638
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 112
- 参考单价：
- ￥47.4017
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 112+ | ￥47.4017 | ￥5,308.9904 |
| 500+ | ￥43.1886 | ￥21,594.3000 |
| 1,000+ | ￥37.6093 | ￥37,609.3000 |
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