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| 数据手册 | IXFN50N120SIC 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 155 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227B-4 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SiC |
| 配置 | Single |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1200 V |
| Id-连续漏极电流 | 47 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 50 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V |
| Qg-栅极电荷 | 100 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：58,620
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥379.5837
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥379.5837 | ￥379.5837 |
| 5+ | ￥366.3187 | ￥1,831.5935 |
| 10+ | ￥318.0532 | ￥3,180.5320 |
| 50+ | ￥314.7656 | ￥15,738.2800 |
| 100+ | ￥307.7673 | ￥30,776.7300 |
| 250+ | ￥287.2571 | ￥71,814.2750 |
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