SIHP125N60EF-GE3
MOSFET EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | SIHP125N60EF-GE3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220AB-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | TrenchFET |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 25 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 109 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 5 V |
| Qg-栅极电荷 | 31 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：54,604
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥28.0726
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥28.0726 | ￥28.0726 |
| 10+ | ￥23.7978 | ￥237.9780 |
| 100+ | ￥20.3868 | ￥2,038.6800 |
| 250+ | ￥20.0166 | ￥5,004.1500 |
| 500+ | ￥18.9589 | ￥9,479.4500 |
| 1,000+ | ￥14.8075 | ￥14,807.5000 |
| 2,500+ | ￥14.0671 | ￥35,167.7500 |
| 5,000+ | ￥13.5736 | ￥67,868.0000 |
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