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IMZA65R107M1HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

制造商:
Infineon Technologies
产品类别
MOSFET
无铅情况/RoHS:
无铅/符合RoHS
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 IMZA65R107M1HXKSA1 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOSFET
安装风格 Through Hole
封装 Tube
最小工作温度 - 55 C
最大工作温度 + 150 C
封装 / 箱体 TO-247-4
通道数量 1 Channel
技术 SiC
商标名 CoolSiC
配置 Single
Pd-功率耗散 75 W
Vgs - 栅极-源极电压 18 V
晶体管极性 N-Channel
Vds-漏源极击穿电压 650 V
Id-连续漏极电流 20 A
Rds On-漏源导通电阻 0.142 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压 5.7 V
Qg-栅极电荷 15 nC
通道模式 Enhancement

库存:53,210

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥79.6257
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥79.6257 ¥79.6257
10+ ¥70.1418 ¥701.4180
100+ ¥60.6579 ¥6,065.7900
250+ ¥58.7982 ¥14,699.5500
500+ ¥54.9641 ¥27,482.0500
1,000+ ¥50.4337 ¥50,433.7000

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