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| 数据手册 | IXTA1R6N100D2HV 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-263HV-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 100 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1000 V |
| Id-连续漏极电流 | 1.6 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 10 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | - 2.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 27 nC |
| 通道模式 | Depletion |
库存：56,179
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥22.9252
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥22.9252 | ￥22.9252 |
| 10+ | ￥20.5102 | ￥205.1020 |
| 25+ | ￥18.4036 | ￥460.0900 |
| 50+ | ￥15.9886 | ￥799.4300 |
| 250+ | ￥13.8204 | ￥3,455.1000 |
| 500+ | ￥13.6353 | ￥6,817.6500 |
| 1,000+ | ￥11.4670 | ￥11,467.0000 |
| 2,500+ | ￥9.8541 | ￥24,635.2500 |
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