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文档与媒体
| 数据手册 | IMW65R048M1HXKSA1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SiC |
| 商标名 | CoolSiC |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 125 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 18 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Id-连续漏极电流 | 39 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 0.064 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 5.7 V |
| Qg-栅极电荷 | 33 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：53,926
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥123.6164
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥123.6164 | ￥123.6164 |
| 10+ | ￥108.9322 | ￥1,089.3220 |
| 100+ | ￥94.1864 | ￥9,418.6400 |
| 250+ | ￥91.2073 | ￥22,801.8250 |
| 500+ | ￥85.3195 | ￥42,659.7500 |
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