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| 数据手册 | IXTT12N150HV 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-268HV-2 |
| 通道数量 | 2 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 890 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.5 kV |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 2.2 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 106 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：51,329
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥241.7768
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥241.7768 | ￥241.7768 |
| 5+ | ￥241.4066 | ￥1,207.0330 |
| 10+ | ￥225.5414 | ￥2,255.4140 |
| 25+ | ￥220.2795 | ￥5,506.9875 |
| 50+ | ￥216.7451 | ￥10,837.2550 |
| 100+ | ￥189.1132 | ￥18,911.3200 |
| 250+ | ￥189.0515 | ￥47,262.8750 |
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