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| 数据手册 | IXTH62N65X2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 780 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Id-连续漏极电流 | 62 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 50 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.7 V |
库存：59,454
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥49.5699
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥49.5699 | ￥49.5699 |
| 10+ | ￥44.7399 | ￥447.3990 |
| 50+ | ￥42.1309 | ￥2,106.5450 |
| 100+ | ￥35.3794 | ￥3,537.9400 |
| 500+ | ￥31.2280 | ￥15,614.0000 |
| 1,000+ | ￥28.0726 | ￥28,072.6000 |
| 2,500+ | ￥27.6319 | ￥69,079.7500 |
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