SIRA84BDP-T1-GE3
MOSFET N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
- 制造商：
- Vishay / Siliconix
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | SIRA84BDP-T1-GE3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | PowerPAK-SO-8 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | TrenchFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 36 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | - 16 V, 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Id-连续漏极电流 | 70 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 7.1 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.2 V |
| Qg-栅极电荷 | 20.7 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：51,215
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥3.1642
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥3.1642 | ￥3.1642 |
| 10+ | ￥2.5561 | ￥25.5610 |
| 100+ | ￥1.8069 | ￥180.6900 |
| 500+ | ￥1.4808 | ￥740.4000 |
| 3,000+ | ￥1.0401 | ￥3,120.3000 |
| 6,000+ | ￥0.9695 | ￥5,817.0000 |
| 9,000+ | ￥0.9078 | ￥8,170.2000 |
| 24,000+ | ￥0.8735 | ￥20,964.0000 |
申请更低价? 请联系客服
