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| 数据手册 | IXFH56N30X3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 320 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 300 V |
| Id-连续漏极电流 | 56 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 27 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 56 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：59,029
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥43.4971
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥43.4971 | ￥43.4971 |
| 10+ | ￥39.2840 | ￥392.8400 |
| 25+ | ￥37.1775 | ￥929.4375 |
| 50+ | ￥36.5605 | ￥1,828.0250 |
| 100+ | ￥31.0429 | ￥3,104.2900 |
| 500+ | ￥27.3851 | ￥13,692.5500 |
| 1,000+ | ￥24.6616 | ￥24,661.6000 |
| 2,500+ | ￥23.7273 | ￥59,318.2500 |
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