NVTFWS9D6P04M8LTAG
MOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
- 制造商：
- ON Semiconductor
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | NVTFWS9D6P04M8LTAG 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 资格 | AEC-Q101 |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | WDFN-8 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 75 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Id-连续漏极电流 | 64 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 9.5 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | - 2.4 V |
| Qg-栅极电荷 | 34.6 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：57,824
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥6.9983
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥6.9983 | ￥6.9983 |
| 10+ | ￥5.9759 | ￥59.7590 |
| 100+ | ￥4.4775 | ￥447.7500 |
| 250+ | ￥4.3541 | ￥1,088.5250 |
| 1,000+ | ￥3.0937 | ￥3,093.7000 |
| 1,500+ | ￥2.9968 | ￥4,495.2000 |
| 4,500+ | ￥2.7764 | ￥12,493.8000 |
| 9,000+ | ￥2.6442 | ￥23,797.8000 |
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