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| 数据手册 | IXTA08N100D2HV 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-263HV-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 60 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Id-连续漏极电流 | 800 mA |
| Rds On-漏源导通电阻 | 21 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | - 4 V |
| Qg-栅极电荷 | 14.6 nC |
| 通道模式 | Depletion |
库存：52,969
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥19.3291
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥19.3291 | ￥19.3291 |
| 10+ | ￥17.4077 | ￥174.0770 |
| 25+ | ￥16.0503 | ￥401.2575 |
| 50+ | ￥13.9437 | ￥697.1850 |
| 250+ | ￥11.6521 | ￥2,913.0250 |
| 500+ | ￥11.2114 | ￥5,605.7000 |
| 1,000+ | ￥9.2988 | ￥9,298.8000 |
| 2,500+ | ￥7.7475 | ￥19,368.7500 |
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