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| 数据手册 | IMZ120R350M1HXKSA1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-4 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SiC |
| 商标名 | CoolSiC |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 60 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | - 7 V, 23 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1200 V |
| Id-连续漏极电流 | 4.7 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 350 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 5.7 V |
| Qg-栅极电荷 | 5.3 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：56,300
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥57.2557
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥57.2557 | ￥57.2557 |
| 10+ | ￥49.3231 | ￥493.2310 |
| 100+ | ￥40.8970 | ￥4,089.7000 |
| 250+ | ￥38.4819 | ￥9,620.4750 |
| 500+ | ￥36.0581 | ￥18,029.0500 |
| 1,000+ | ￥32.4708 | ￥32,470.8000 |
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