| 产品属性 |
属性值 |
| 产品目录 |
MOSFET |
| 安装风格 |
Through Hole |
| 封装 |
Tube |
| 最小工作温度 |
- 55 C |
| 最大工作温度 |
+ 150 C |
| 封装 / 箱体 |
TO-247-4 |
| 通道数量 |
1 Channel |
| 技术 |
SiC |
| 商标名 |
CoolSiC |
| 配置 |
Single |
| Pd-功率耗散 |
60 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 |
- 7 V, 23 V |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
1200 V |
| Id-连续漏极电流 |
4.7 A |
| Rds On-漏源导通电阻 |
350 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 |
5.7 V |
| Qg-栅极电荷 |
5.3 nC |
| 通道模式 |
Enhancement |
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥57.2557
| 数量 |
单价（含税） |
总计 |
|
1+
|
￥57.2557 |
￥57.2557 |
|
10+
|
￥49.3231 |
￥493.2310 |
|
100+
|
￥40.8970 |
￥4,089.7000 |
|
250+
|
￥38.4819 |
￥9,620.4750 |
|
500+
|
￥36.0581 |
￥18,029.0500 |
|
1,000+
|
￥32.4708 |
￥32,470.8000 |
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