SUP60020E-GE3
MOSFET N-Channel 80 V (D-S) MOSFET
- 制造商：
- Vishay / Siliconix
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | SUP60020E-GE3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | TrenchFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 375 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
| Id-连续漏极电流 | 150 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 2.8 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V |
| Qg-栅极电荷 | 151.2 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：55,126
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥19.3291
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥19.3291 | ￥19.3291 |
| 10+ | ￥16.0503 | ￥160.5030 |
| 100+ | ￥13.1946 | ￥1,319.4600 |
| 250+ | ￥12.7627 | ￥3,190.6750 |
| 500+ | ￥11.4670 | ￥5,733.5000 |
| 1,000+ | ￥10.4710 | ￥10,471.0000 |
| 2,500+ | ￥9.1666 | ￥22,916.5000 |
| 5,000+ | ￥8.7964 | ￥43,982.0000 |
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