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    IMW120R140M1HXKSA1

    MOSFET SIC DISCRETE

    制造商:
    Infineon Technologies
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IMW120R140M1HXKSA1 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 TO-247-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SiC
    商标名 CoolSiC
    配置 Single
    Pd-功率耗散 94 W
    Vgs - 栅极-源极电压 18 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 1200 V
    Id-连续漏极电流 19 A
    Rds On-漏源导通电阻 182 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 3.5 V
    Qg-栅极电荷 13 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:52,297

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥68.4672
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥68.4672 ¥68.4672
    10+ ¥58.9304 ¥589.3040
    100+ ¥48.8296 ¥4,882.9600
    250+ ¥45.9738 ¥11,493.4500
    500+ ¥43.1269 ¥21,563.4500
    1,000+ ¥38.7904 ¥38,790.4000

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