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    IXTX1R4N450HV

    MOSFET DISCMOSFET NCH STD-VERYHIVOLT

    制造商:
    IXYS
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IXTX1R4N450HV 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-247-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 960 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 4500 V
    Id-连续漏极电流 1.4 A
    Rds On-漏源导通电阻 40 Ohms
    Vgs th-栅源极阈值电压 6 V
    Qg-栅极电荷 88 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:50,998

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥318.3000
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥318.3000 ¥318.3000
    5+ ¥317.4362 ¥1,587.1810
    10+ ¥296.9260 ¥2,969.2600
    25+ ¥286.7635 ¥7,169.0875
    50+ ¥285.3356 ¥14,266.7800
    100+ ¥248.9691 ¥24,896.9100
    250+ ¥248.9074 ¥62,226.8500

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