SCTW90N65G2V
MOSFET PTD NEW MAT & PWR SOLUTION
- 制造商：
- STMicroelectronics
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | SCTW90N65G2V 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 200 C |
| 封装 / 箱体 | HIP247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SiC |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 390 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V to 22 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Id-连续漏极电流 | 90 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 25 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.9 V |
| Qg-栅极电荷 | 157 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,895
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥157.2594
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥157.2594 | ￥157.2594 |
| 10+ | ￥145.0520 | ￥1,450.5200 |
| 25+ | ￥138.5473 | ￥3,463.6825 |
| 100+ | ￥122.2502 | ￥12,225.0200 |
| 250+ | ￥114.0708 | ￥28,517.7000 |
| 500+ | ￥105.9531 | ￥52,976.5500 |
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