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| 数据手册 | IMW120R045M1XKSA1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SiC |
| 商标名 | CoolSiC |
| Pd-功率耗散 | 228 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | - 10 V, 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1200 V |
| Id-连续漏极电流 | 52 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 59 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 52 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：58,272
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥127.5210
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥127.5210 | ￥127.5210 |
| 10+ | ￥117.6052 | ￥1,176.0520 |
| 25+ | ￥112.3344 | ￥2,808.3600 |
| 100+ | ￥99.1399 | ￥9,913.9900 |
| 250+ | ￥92.5117 | ￥23,127.9250 |
| 500+ | ￥85.8219 | ￥42,910.9500 |
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