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| 数据手册 | IAUS165N08S5N029ATMA1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | HSOG-8 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 167 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
| Id-连续漏极电流 | 165 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 4.4 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.2 V |
| Qg-栅极电荷 | 90 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：54,667
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥23.2337
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥23.2337 | ￥23.2337 |
| 10+ | ￥19.7698 | ￥197.6980 |
| 100+ | ￥14.9309 | ￥1,493.0900 |
| 500+ | ￥14.0671 | ￥7,033.5500 |
| 1,800+ | ￥11.6521 | ￥20,973.7800 |
| 3,600+ | ￥10.7795 | ￥38,806.2000 |
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