SIHW21N80AE-GE3
MOSFET E Series Power MOSFET
- 制造商：
- Vishay / Siliconix
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | SIHW21N80AE-GE3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 32 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Id-连续漏极电流 | 17.4 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 235 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V |
| Qg-栅极电荷 | 48 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：55,936
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥28.1960
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥28.1960 | ￥28.1960 |
| 10+ | ￥23.9212 | ￥239.2120 |
| 100+ | ￥21.9380 | ￥2,193.8000 |
| 250+ | ￥19.6464 | ￥4,911.6000 |
| 500+ | ￥17.6633 | ￥8,831.6500 |
| 1,000+ | ￥16.1120 | ￥16,112.0000 |
| 2,500+ | ￥14.1288 | ￥35,322.0000 |
| 5,000+ | ￥13.5736 | ￥67,868.0000 |
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