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| 数据手册 | IXFY36N20X3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-252 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 170 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Id-连续漏极电流 | 36 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 38 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 21 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：52,312
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥22.4933
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥22.4933 | ￥22.4933 |
| 10+ | ￥20.1400 | ￥201.4000 |
| 25+ | ￥17.5310 | ￥438.2750 |
| 50+ | ￥17.1609 | ￥858.0450 |
| 100+ | ￥16.4822 | ￥1,648.2200 |
| 250+ | ￥14.0671 | ￥3,516.7750 |
| 500+ | ￥13.3797 | ￥6,689.8500 |
| 1,000+ | ￥11.2731 | ￥11,273.1000 |
| 2,500+ | ￥9.6690 | ￥24,172.5000 |
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