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| 数据手册 | IXFY30N25X3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-252-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 170 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
| Id-连续漏极电流 | 30 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 60 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 21 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：53,900
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥35.8730
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥35.8730 | ￥35.8730 |
| 10+ | ￥32.0389 | ￥320.3890 |
| 25+ | ￥27.8875 | ￥697.1875 |
| 50+ | ￥27.3234 | ￥1,366.1700 |
| 100+ | ￥26.2745 | ￥2,627.4500 |
| 250+ | ￥22.4316 | ￥5,607.9000 |
| 500+ | ￥21.3123 | ￥10,656.1500 |
| 1,000+ | ￥17.9717 | ￥17,971.7000 |
| 2,500+ | ￥15.3628 | ￥38,407.0000 |
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