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| 数据手册 | IXFB70N100X 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | PLUS264-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 1785 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1000 V |
| Id-连续漏极电流 | 70 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 89 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 350 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：59,925
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥230.0013
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥230.0013 | ￥230.0013 |
| 5+ | ￥228.0182 | ￥1,140.0910 |
| 10+ | ￥212.1001 | ￥2,121.0010 |
| 25+ | ￥206.8293 | ￥5,170.7325 |
| 50+ | ￥201.9993 | ￥10,099.9650 |
| 100+ | ￥178.7655 | ￥17,876.5500 |
| 250+ | ￥172.7544 | ￥43,188.6000 |
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