SQJ208EP-T1_GE3
MOSFET Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L
- 制造商：
- Vishay / Siliconix
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | SQJ208EP-T1_GE3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | SO-8 |
| 通道数量 | 2 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | TrenchFET |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 48 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Id-连续漏极电流 | 20 A, 60 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 9.4 mOhms, 3.9 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.3 V, 1.4 V |
| Qg-栅极电荷 | 33 nC, 75 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：55,920
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥7.4390
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥7.4390 | ￥7.4390 |
| 10+ | ￥6.3813 | ￥63.8130 |
| 100+ | ￥4.8477 | ￥484.7700 |
| 500+ | ￥4.1602 | ￥2,080.1000 |
| 3,000+ | ￥3.0673 | ￥9,201.9000 |
| 6,000+ | ￥2.9086 | ￥17,451.6000 |
申请更低价? 请联系客服QQ 154861934
