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| 数据手册 | IXFQ120N25X3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装 / 箱体 | TO-39-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 480 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
| Id-连续漏极电流 | 120 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 12 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 122 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：51,092
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥58.8687
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥58.8687 | ￥58.8687 |
| 10+ | ￥52.9810 | ￥529.8100 |
| 25+ | ￥48.2655 | ￥1,206.6375 |
| 50+ | ￥47.5868 | ￥2,379.3400 |
| 100+ | ￥43.5588 | ￥4,355.8800 |
| 250+ | ￥42.6950 | ￥10,673.7500 |
| 500+ | ￥36.4988 | ￥18,249.4000 |
| 1,000+ | ￥36.4371 | ￥36,437.1000 |
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