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| 数据手册 | IXFH120N25X3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 480 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
| Id-连续漏极电流 | 120 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 12 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 122 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：52,349
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥64.7476
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥64.7476 | ￥64.7476 |
| 10+ | ￥58.2429 | ￥582.4290 |
| 25+ | ￥53.0427 | ￥1,326.0675 |
| 50+ | ￥52.3552 | ￥2,617.7600 |
| 100+ | ￥47.8953 | ￥4,789.5300 |
| 250+ | ￥46.9698 | ￥11,742.4500 |
| 500+ | ￥40.0861 | ￥20,043.0500 |
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