图像仅供参考 请参阅产品规格

STW70N60DM6-4

MOSFET PTD HIGH VOLTAGE

制造商:
STMicroelectronics
产品类别
MOSFET
无铅情况/RoHS:
无铅/符合RoHS
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 STW70N60DM6-4 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOSFET
安装风格 Through Hole
封装 Tube
最小工作温度 - 55 C
最大工作温度 + 150 C
封装 / 箱体 TO-247-4
通道数量 1 Channel
技术 SI
商标名 MDmesh
配置 Single
Pd-功率耗散 390 W
Vgs - 栅极-源极电压 25 V
晶体管极性 N-Channel
Vds-漏源极击穿电压 600 V
Id-连续漏极电流 62 A
Rds On-漏源导通电阻 42 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压 4.75 V
Qg-栅极电荷 99 nC
通道模式 Enhancement

库存:54,810

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥64.9944
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥64.9944 ¥64.9944
10+ ¥59.7325 ¥597.3250
25+ ¥57.2557 ¥1,431.3925
100+ ¥49.5699 ¥4,956.9900
250+ ¥47.9570 ¥11,989.2500
500+ ¥44.8633 ¥22,431.6500
1,000+ ¥41.2055 ¥41,205.5000

申请更低价? 请联系客服

新品资讯