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| 数据手册 | IXTH150N15X4 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 商标名 | HiPerFET |
| Pd-功率耗散 | 480 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Id-连续漏极电流 | 150 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 7.2 mOhms |
| Qg-栅极电荷 | 105 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,260
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥65.8670
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥65.8670 | ￥65.8670 |
| 10+ | ￥59.3006 | ￥593.0060 |
| 25+ | ￥49.3231 | ￥1,233.0775 |
| 50+ | ￥45.8504 | ￥2,292.5200 |
| 100+ | ￥44.8016 | ￥4,480.1600 |
| 250+ | ￥40.8970 | ￥10,224.2500 |
| 500+ | ￥37.3008 | ￥18,650.4000 |
| 1,000+ | ￥35.5645 | ￥35,564.5000 |
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