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| 数据手册 | IXFJ26N50P3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| Pd-功率耗散 | 180 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Id-连续漏极电流 | 14 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 295 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3 V |
| Qg-栅极电荷 | 42 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：59,729
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥104.4723
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥104.4723 | ￥104.4723 |
| 10+ | ￥94.9885 | ￥949.8850 |
| 25+ | ￥87.8668 | ￥2,196.6700 |
| 50+ | ￥80.8596 | ￥4,042.9800 |
| 100+ | ￥78.8765 | ￥7,887.6500 |
| 250+ | ￥72.3101 | ￥18,077.5250 |
| 500+ | ￥65.6202 | ￥32,810.1000 |
| 1,000+ | ￥59.9176 | ￥59,917.6000 |
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