SIHD3N50DT4-GE3
MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
- 制造商：
- Vishay / Siliconix
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | SIHD3N50DT4-GE3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-252-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 69 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Id-连续漏极电流 | 3 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 3.2 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3 V |
| Qg-栅极电荷 | 12 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：52,871
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥5.7644
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥5.7644 | ￥5.7644 |
| 10+ | ￥4.6185 | ￥46.1850 |
| 100+ | ￥3.5080 | ￥350.8000 |
| 500+ | ￥2.8998 | ￥1,449.9000 |
| 1,000+ | ￥2.3181 | ￥2,318.1000 |
| 2,500+ | ￥2.0977 | ￥5,244.2500 |
| 5,000+ | ￥1.9743 | ￥9,871.5000 |
| 10,000+ | ￥1.8862 | ￥18,862.0000 |
| 25,000+ | ￥1.8069 | ￥45,172.5000 |
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