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| 数据手册 | IXFN52N100X 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 830 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1000 V |
| Id-连续漏极电流 | 44 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 125 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 245 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：59,745
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥236.7617
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥236.7617 | ￥236.7617 |
| 5+ | ￥234.7168 | ￥1,173.5840 |
| 10+ | ￥218.3580 | ￥2,183.5800 |
| 25+ | ￥212.9022 | ￥5,322.5550 |
| 50+ | ￥199.6459 | ￥9,982.2950 |
| 100+ | ￥184.0275 | ￥18,402.7500 |
| 200+ | ￥177.8313 | ￥35,566.2600 |
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