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| 数据手册 | SUM50010E-GE3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-263-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 375 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Id-连续漏极电流 | 150 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 1.75 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V |
| Qg-栅极电荷 | 212 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：57,910
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥21.6913
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥21.6913 | ￥21.6913 |
| 10+ | ￥18.4036 | ￥184.0360 |
| 100+ | ￥15.7418 | ￥1,574.1800 |
| 250+ | ￥15.4245 | ￥3,856.1250 |
| 500+ | ￥13.5736 | ￥6,786.8000 |
| 2,500+ | ￥10.8412 | ￥27,103.0000 |
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