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    SIHH100N60E-T1-GE3

    MOSFET 650V Vds; 30V Vgs PowerPAK 8x8

    制造商:
    Vishay / Siliconix
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 SIHH100N60E-T1-GE3 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 PowerPAK-4
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 174 W
    Vgs - 栅极-源极电压 30 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 600 V
    Id-连续漏极电流 28 A
    Rds On-漏源导通电阻 100 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 3 V
    Qg-栅极电荷 53 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:55,552

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥42.2543
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥42.2543 ¥42.2543
    10+ ¥38.1029 ¥381.0290
    25+ ¥36.2520 ¥906.3000
    100+ ¥31.4131 ¥3,141.3100
    250+ ¥30.0557 ¥7,513.9250
    500+ ¥26.7681 ¥13,384.0500
    1,000+ ¥23.2954 ¥23,295.4000
    3,000+ ¥22.1231 ¥66,369.3000

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