| 产品属性 |
属性值 |
| 产品目录 |
MOSFET |
| 安装风格 |
Through Hole |
| 封装 |
Tube |
| 最小工作温度 |
- 55 C |
| 最大工作温度 |
+ 150 C |
| 封装 / 箱体 |
IPAK-3 |
| 通道数量 |
1 Channel |
| 技术 |
SI |
| 商标名 |
CoolMOS |
| 配置 |
Single |
| Pd-功率耗散 |
22 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 |
20 V |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
950 V |
| Id-连续漏极电流 |
2 A |
| Rds On-漏源导通电阻 |
3.7 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 |
2.5 V |
| Qg-栅极电荷 |
6 nC |
| 通道模式 |
Enhancement |
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥5.8878
| 数量 |
单价（含税） |
总计 |
|
1+
|
￥5.8878 |
￥5.8878 |
|
10+
|
￥5.0152 |
￥50.1520 |
|
100+
|
￥3.7283 |
￥372.8300 |
|
500+
|
￥3.1907 |
￥1,595.3500 |
|
1,000+
|
￥2.6001 |
￥2,600.1000 |
|
2,500+
|
￥2.3269 |
￥5,817.2500 |
|
10,000+
|
￥2.2564 |
￥22,564.0000 |
|
25,000+
|
￥2.2388 |
￥55,970.0000 |
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