SISH410DN-T1-GE3
MOSFET 20V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8SH
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | SISH410DN-T1-GE3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | PowerPAK1212-8 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | TrenchFET, PowerPAK |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 52 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Id-连续漏极电流 | 35 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 4.8 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.2 V |
| Qg-栅极电荷 | 41 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,886
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥6.1962
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥6.1962 | ￥6.1962 |
| 10+ | ￥5.3765 | ￥53.7650 |
| 100+ | ￥4.4951 | ￥449.5100 |
| 500+ | ￥3.7900 | ￥1,895.0000 |
| 3,000+ | ￥2.6971 | ￥8,091.3000 |
| 6,000+ | ￥2.5561 | ￥15,336.6000 |
| 9,000+ | ￥2.4944 | ￥22,449.6000 |
| 24,000+ | ￥2.4062 | ￥57,748.8000 |
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