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    NTB190N65S3HF

    MOSFET SUPERFET3 650V FRFET 190M

    制造商:
    ON Semiconductor
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 NTB190N65S3HF 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 D2PAK-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 SuperFET III
    配置 Single
    Pd-功率耗散 162 W
    Vgs - 栅极-源极电压 30 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 650 V
    Id-连续漏极电流 20 A
    Rds On-漏源导通电阻 190 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 3 V
    Qg-栅极电荷 34 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:58,388

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥16.6673
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥16.6673 ¥16.6673
    10+ ¥14.1288 ¥141.2880
    100+ ¥11.0263 ¥1,102.6300
    250+ ¥10.7178 ¥2,679.4500
    800+ ¥7.9943 ¥6,395.4400
    2,400+ ¥7.7475 ¥18,594.0000
    4,800+ ¥7.2539 ¥34,818.7200
    9,600+ ¥7.0600 ¥67,776.0000

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