SIHU2N80E-GE3
MOSFET 800V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
- 制造商：
- Vishay / Siliconix
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | SIHU2N80E-GE3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-251-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 62.5 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Id-连续漏极电流 | 2.8 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 2.38 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
| Qg-栅极电荷 | 9.8 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：57,366
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥9.7307
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥9.7307 | ￥9.7307 |
| 10+ | ￥8.1794 | ￥81.7940 |
| 100+ | ￥6.4430 | ￥644.3000 |
| 500+ | ￥5.4735 | ￥2,736.7500 |
| 1,000+ | ￥4.8389 | ￥4,838.9000 |
| 3,000+ | ￥4.1426 | ￥12,427.8000 |
| 6,000+ | ￥3.9310 | ￥23,586.0000 |
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